Neue DDR5-Speicher von Innodisk für Workstations

Für leistungsstarke Workstations für spezielle technische und wissenschaftliche Anwendungen hat Innodisk neue DDR5-Speicher in Industriequalität entwickelt. Dadurch wird die Geschwindigkeit, die Kapazität und die Zuverlässigkeit der Systeme erheblich gesteigert. Ermöglicht wird dies durch die Einführung neuer Technologien wie Double Bank Groups, Same Bank Refresh, On-Die ECC und Dual Subchannels. Ein global agierendes Unternehmen entwickelt und […]

continue reading

Avionik in der Luft- und Raumfahrt mit Speicherprodukten von Innodisk

Die Luft- und Raumfahrt ist seit jeher ein Symbol für die Zukunft und die Leistungsfähigkeit der Technologie. Avionik – also die Gesamtheit aller elektrischen und elektronischen Geräte an Bord eines Fluggerätes in der Luft- und Raumfahrt – verursacht heute einen Großteil der Entwicklungskosten. Aufgrund der Umgebungsbedingungen sind die Sicherheitsanforderungen sehr anspruchsvoll, damit ein risikofreies Beförderungsmittel […]

continue reading

KI und IoT – die Zukunft des Gesundheitswesens

In der Künstlichen Intelligenz (KI) und dem Internet der Dinge (IoT) steckt ein enormes Potenzial für die Medizin. Diese Technologien können Ärzte und Pfleger bei der Analyse von Röntgen- und Ultraschallbildern sowie bei der Diagnostik und Behandlung von Patienten enorm unterstützen. Im Gesundheitssystem fallen eine große Menge an Daten an. Bei Blutdruckmessungen oder der Messung […]

continue reading

AIoT-Lösungen von Innodisk für Elektrofahrzeuge und Smart City

Laut Statista, dem führenden deutschen Online-Portal für Statistiken von Markt- und Meinungsforschungsinstitutionen, waren im Jahr 2020 weltweit ca. 30 Milliarden Geräte mit dem IoT verbunden. Diese Anzahl soll bis zum Jahr 2025 auf 75 Milliarden anwachsen. Dabei wird eine Vielzahl an Daten generiert, die allerdings zu einem großen Teil nicht genutzt werden. Gründe dafür sind […]

continue reading

Erhöhte Lebensdauer für Flashspeicher mit DIE-RAID

Anhand stetig physischer Verkleinerung der NAND-Flash-Zellen, können mehr Zellen pro Flächeneinheit untergebracht und die Speicherkapazität erhöht werden. Dies kann jedoch zu einer höheren Interferenz mit der in der Zelle eingeschlossenen Ladung führen. Folge ist eine erhöhte Fehlerbitrate. Die Zellen nehmen immer mehr Bits auf, wodurch der Puffer zwischen den Spannungsebenen immer weiter abnimmt und die […]

continue reading