Silicon carbide (SiC) provides considerable technical advantages for power electronics – however, the costs are still a drawback. In the »ThinSiCPower« research project, a consortium of Fraunhofer Institutes is developing key technologies to reduce material losses and device thickness while increasing the thermomechanical stability of the assembled SiC chips. The savings achieved are expected to […]
continue reading
Siliziumkarbid bietet für die Leistungselektronik erhebliche technische Vorzüge – ein Nachteil sind nach wie vor die Kosten. Im Forschungsprojekt »ThinSiCPower« entwickelt ein Konsortium von Fraunhofer-Instituten Schlüsseltechnologien, mit denen Materialverbrauch und Bauelementdicke reduziert und gleichzeitig die thermomechanische Stabilität der aufgebauten SiC-Chips erhöht wird. Die erzielten Einsparungen sollen dazu beitragen, die Markterschließung für effiziente SiC-Leistungselektronik weiter zu […]
continue reading
Electromobility, energy supply, automation, and broadband communication – especially in the light of digital transformation and climate change – are opening up new opportunities for European research to take lead in international competition. Semiconductor technology in particular currently offers major levers not only for securing technological sovereignty in the field of power electronics, but also […]
continue reading
Wide-bandgap (WBG) semiconductor technology and artificial intelligence together are revolutionizing power electronics. A new class of intelligent power electronic systems is unlocking new performance and application areas. The high demands of system development impact the entire power electronics value chain. Specifically, this applies to semiconductor materials and devices as well as packaging and module technology. […]
continue reading
Im 3. bundesweiten Schulwettbewerb »Wer züchtet den schönsten Kristall?« stand die Fachjury des Fraunhofer IISB vor der Qual der Wahl: Über 2500 Schülerinnen und Schüler von 150 Schulen aus ganz Deutschland reichten ihre selbstgezüchteten Kristalle zur Beurteilung ein. Die Gewinnerteams wurden im Rahmen der Deutschen Kristallzüchtungstagung 2024 am 7. März in Erlangen ausgezeichnet. Den ersten […]
continue reading
Im Verbundprojekt »BALU – Fertigungstechnologie für Batteriezellkonzepte auf Basis der Aluminium-Ionen-Technologie« entwickelt ein Konsortium aus Forschungseinrichtungen und spezialisierten Industrieunternehmen die Aluminium-Graphit-Dual-Ionen-Batterie (AGDIB) weiter. Aufgrund der hohen Leistungsdichte besitzt die AGDIB-Technologie ein großes Potential im Bereich hochdynamischer Lastanforderungen und könnte hier eine Alternative zu kosten- und materialintensiven Lithiumbatterien sein. Das Projekt verfolgt das ehrgeizige Ziel, die […]
continue reading
Schülerinnen und Schüler der Montessori Schule Herzogenaurach begeben sich auf eine spannende Reise in die Welt der Kristalle. Gemeinsam mit dem Fraunhofer IISB in Erlangen veranstaltet die Schule im Rahmen des MINT-Unterrichts (Mathematik, Informatik, Naturwissenschaften und Technik) die Kristall-Projektwoche. Die Kinder erarbeiten sich Wissen über diese einzigartigen Materialien und ihre Bedeutung für unser modernes Leben. […]
continue reading
A cross-organizational team from Rigaku SE and Fraunhofer IISB has established a new semiconductor material characterization method in their jointly operated Center of Expertise for X-ray Topography in Erlangen, Germany. They succeeded not only in developing an industry-ready X-ray topography system, but also in employing defect detection and quantification algorithms, achieving a worldwide unique material […]
continue reading
Ein Forschungsteam der Rigaku SE und des Fraunhofer IISB hat gemeinsam eine einzigartige, industrietaugliche Charakterisierungsmethode für Halbleitermaterialien realisiert. Dabei wurde erstmalig der Aufbau des Röntgentopographiesystems mit der Entwicklung entsprechender Algorithmen zur Fehlererkennung und -quantifizierung kombiniert. Das Verfahren eignet sich optimal für Siliziumkarbid (SiC) – ein exzellenter Halbleiter für Bereiche wie Elektromobilität und Transport, nachhaltige Energierversorgung, […]
continue reading
Geht es um besonders verlustarme Halbleiterbauelemente und hocheffiziente Leistungselektronik, führt heute kein Weg mehr vorbei an Siliziumkarbid (SiC). Das Wide-Bandgap-Halbleitermaterial SiC ist dem konventionellen Silizium in vielen Belangen überlegen und erobert immer neue Anwendungsbereiche, beispielsweise in der Optoelektronik, Sensorik oder Festkörper-Quantenelektronik. Selbst im Weltraum kann SiC mittlerweile seine überragenden physikalischen Eigenschaften beweisen: Bei der aktuellen […]
continue reading