Alliance Memory hat sein Angebot an mobilen CMOS-Hochgeschwindigkeits-Low-Power-SDRAMs um vier neue Bausteine erweitert. Die LPDDR4-SDRAMs der vierten Generation mit einer Kapazität von 2 GB, 4 GB, 8 GB und 16 GB bieten einen um 50 % geringeren Stromverbrauch und verlängern so die Batterielebensdauer in tragbaren Geräten. Die Bausteine sind bei endrich Bauelemente Vertriebs GmbH erhältlich.

Typische Anwendungen sind in 5G-, AI- und IoT-Geräten, in tragbaren Geräten für den Verbraucher-, Handels- und Industriemarkt einschließlich Smartphones, intelligente Lautsprecher und Sicherheitsüberwachungssysteme. Sie können auch in ADAS-Systemen für Kraftfahrzeuge eingesetzt werden und sind für fortschrittliches Audio und ultrahochauflösendes Video in eingebetteten Anwendungen geeignet.

Die Vorteile der SDRAMs sind ein Betrieb bei 0,6 V, schnelle Taktraten von bis zu 1,86 GHz und sehr hohe Übertragungsraten von 3,7 Gbit/s. Sie sind AEC-Q100-qualifiziert mit On-Chip ECC für erhöhte Zuverlässigkeit (AS4C128M16MD4V-062BAN und AS4C256M16MD4V-062BAN) und in den Temperaturbereichen von -40 °C bis +105 °C und von -40 °C bis +85 °C verfügbar. Der Betrieb ist vollständig synchron. Lese- und Schreibburstlängen von 16, 32 und on the fly sind programmierbar. Die Ausgangstreiberstärke ist wählbar. Ein integrierter Temperatursensor steuert die Selbstauffrischungsrate. Die SDRAMs sind im 200-Ball-FBGA-Gehäuse für höhere Leistungseffizienz erhältlich.

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