Die MOCVD-Anlagen von AIXTRON haben sich als Referenzanlagen in der Massenfertigung von Lasern für Wachstumsmärkte wie die 3D-Sensorik und die optische Datenkommunikation sowie für Spezial-LEDs, Verbundsolarzellen und Leistungselektronik oder HF-Anwendungen auf Basis von Galliumnitrid (GaN), die insbesondere für den Aufbau des neuen 5G-Kommunikationsnetzes benötigt werden, etabliert.

Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON SE, sagt: „Wir konzentrieren uns auf unsere Kernkompetenz in der MOCVD-Technologie und haben uns aufgrund der enormen Leistungsfähigkeit unserer Anlagen die Marktführerschaft in einer Reihe von hochattraktiven Wachstumsmärkten erarbeitet. Grundlage unseres fortwährenden Erfolges ist ein über Jahrzehnte gemeinsam mit unseren Kunden entwickeltes Anwendungsverständnis. Es dient der stetigen Weiterentwicklung unseres Portfolios zur bestmöglichen Erfüllung der spezifischen Anforderungen der Endmärkte ­‑ höchste Qualität der Epitaxie-Schichten in Kombination mit der effizienten Nutzung der für MOCVD-Prozesse verwendeten Materialien. Somit bieten wir die niedrigsten Betriebskosten in der Großserienproduktion von Verbindungshalbleiterbauelementen.“

[1] Gartner: Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2018 published April, 2019.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben  die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.